onsemi FCP125N65S3 دیتاشیت

FCP125N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP125N65S3
حجم فایل 65.202 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP125N65S3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-Channel
  • Package: TO-220
  • RDS(on): 125mΩ@10V,12A
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Manufacturer: onsemi
  • Gate Charge(Qg): 46nC@10V
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Pd - Power Dissipation: -
  • Drain to Source Voltage: 650V
  • Input Capacitance(Ciss): 1.94nF@400V
  • Current - Continuous Drain(Id): 24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 439pF@400V

محصولات مشابه